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摘要:
从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力.
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文献信息
篇名 标准CMOS工艺在高速模拟电路和数模混合电路中的应用展望
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 CMOS工艺 特征频率fT 单片系统SoC 短距离并行光传输系统VSR 多项目晶圆MPW
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 30-32,41
页数 4页 分类号 TN432
字数 3851字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.04.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈弘达 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 82 341 10.0 13.0
2 何山虎 兰州大学微电子研究所 7 77 5.0 7.0
3 毛陆虹 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 4 31 3.0 4.0
4 崔增文 兰州大学微电子研究所 1 9 1.0 1.0
5 高建玉 兰州大学微电子研究所 1 9 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
CMOS工艺
特征频率fT
单片系统SoC
短距离并行光传输系统VSR
多项目晶圆MPW
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
论文1v1指导