SCDI结构快闪存储器件Ⅱ:实验与器件特性

• 作者: 欧文 钱鹤
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SCDI器件 快闪存储器 编程速度 工艺优化 关键技术
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 497-501
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 424字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.05.004

摘要

采用1.2μm CMOS工艺技术制作出台阶沟道直接注入(SCDI)快闪存储器件,该种器件具有良好的器件特性.在Vg＝6V,Vd＝5V的编程条件下,SCDI器件的编程速度是42μs,在Vg＝8V,Vs＝8V的擦除条件下,SCDI器件的擦除速度是24ms.与相同器件尺寸的普通平面型的快闪存储器件相比,SCDI器件的特性得到了显著地提高.在制作SCDI器件的工艺中,关键技术是制作合适的深度和倾斜角度的浅的台阶,同时减少在制作Si3N4侧墙的刻蚀损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱鹤	中国科学院微电子研究所	32	164	7.0	12.0
2	欧文	中国科学院微电子研究所	27	81	6.0	7.0