半导体硅片金属微观污染机理研究进展

• 作者: 程璇 郑宣
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微观污染 多金属污染 铜沉积 硅清洗
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 支撑技术
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.08.014

摘要

综述了近10年来国内外在半导体硅片金属微观污染研究领域的进展.研究了单金属特别是铜的沉积、形成机理和动力学以及采用的研究方法和分析测试手段,包括对电化学参数和物理参数等研究.指出了随着科学技术的不断发展,金属污染金属检测手段也得到了丰富,为金属微观污染的研究提供了有力的工具.