纳米晶存储特性的研究

• 作者: 刘之景 刘磁辉 唐文洁 陶进绪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米晶 MOS型存储器 存储特性
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 专题报道(纳米电子与MEMES技术)
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 4126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.10.006

摘要

常温下硅纳米晶构成的MOSFET存储器具有低压、低功耗、体积小、高剂量和快速读写等优良特性,在ULSI中有重要的应用前景.它是当前ULSI研究中的一项热门专题,在国外一些著名刊物上屡见报道.本文介绍了这种器件的存储特性及其机理与最新研究进展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘之景	中国科学技术大学近代物理系	42	925	11.0	30.0
2	刘磁辉	中国科学技术大学物理系	13	183	6.0	13.0
3	陶进绪	中国科学技术大学电子工程与信息科学系	16	67	5.0	7.0
4	唐文洁	中国科学技术大学近代物理系	1	5	1.0	1.0