脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上生长高c轴取向LiNbO3薄膜

• 作者: 叶志镇 曹亮亮 王新昌 赵炳辉
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: LiNbO3薄膜 Si(111) c轴取向 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2005,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 211-213,221
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2218字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2005.03.013

摘要

在氧压20Pa,衬底温度600℃,靶材与衬底距离4cm的最优化条件下,利用脉冲激光沉积(PLD)技术首次在无诱导电压和任何缓冲层的情况下,在单晶Si(111)衬底上生长具有优良结晶品质和高c轴取向的LiNbO3晶体薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对LiNbO3薄膜的结晶品质,择优取向性以及表面形貌进行了系统的分析.结果表明生长出了具有优异晶体质量的c轴取向LiNbO3薄膜,表面光滑平整且无裂纹产生,表面粗糙度约4.8nm,有利于硅基光电子器件的制备和利用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	王新昌	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	31	3.0	5.0
4	曹亮亮	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	21	3.0	4.0