Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究

• 作者: 冯叶 刘洪图 徐传明 徐军 杨晓杰 许小亮 谢家纯 黄文浩
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu(In,Ga)3Se5 有序缺陷化合物 XRD 四方结构扭曲
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 53-56,70
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+6|O484.1|O472+.4
• 字数: 3344字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2006.z1.013

摘要

讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响.