功率MOSFET无铅化封装中铝线引脚跟断裂研究

• 作者: 何伦文 张卫 汪礼康 潘少辉
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 功率电子 铝线 无铅化 回流焊
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2006.11.006

摘要

用实验和有限元的分析方法研究0.05mm～0.125mm铝线的引脚跟断裂问题.结果显示由于引线键合工艺、注塑工艺以及回流焊中封装体各部分不同的热膨胀系数引起的热应力和塑性变形是产生引脚跟断裂的主要因素.模拟不同的回流焊温度曲线(220℃、240℃、260℃)对铝线的影响,发现在铝线引脚跟处应力和应变最大,而且随着温度的上升,铝线引脚跟处的塑性变形会提高20%,这对铝线的疲劳损伤是很严重的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张卫	复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室	43	271	10.0	14.0
2	何伦文	复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室	5	37	3.0	5.0
3	汪礼康	复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室	7	70	4.0	7.0
4	潘少辉	复旦大学微电子系专用集成电路与系统国家重点实验室	3	17	2.0	3.0