高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究

• 作者: 丛秀云 崔志明 巴维真 蔡志军 陈朝阳
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 高补偿硅 化学沉积法 硅镍化合物
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 53-55
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.03.018

摘要

采用4.5 Ω·cm的p型单晶硅,通过高温气相扩散法将锰掺入硅中,得到高补偿单晶硅.用化学沉积法,在高补偿单晶硅材料的表面镀金属镍膜,经500℃退火15 min,制成Ni电极.用SEM和XPS对电极进行分析,并测试材料的I-V特性曲线.结果表明:经退火后镍与硅形成硅镍化合物(Ni2Si),电极正反向电阻一致,性能稳定,形成欧姆接触.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝阳	中国科学院新疆理化技术研究所	60	622	12.0	22.0
2	巴维真	中国科学院新疆理化技术研究所	25	201	8.0	13.0
3	丛秀云	中国科学院新疆理化技术研究所	12	74	5.0	7.0
4	崔志明	中国科学院新疆理化技术研究所	4	25	3.0	4.0
5	蔡志军	中国科学院新疆理化技术研究所	4	25	3.0	4.0