用减压化学气相沉积技术制备应变硅材料

• 作者: 刘志弘 徐阳 梁仁荣 王敬 许军 钱佩信
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅 锗硅虚衬底 减压化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 179-182
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.045

摘要

利用减压化学气相沉积技术,制备出应变Si/弛豫Si0.9Ge01/渐变组分弛豫SiGe/Si衬底.通过控制组分渐变SiGe过渡层的组分梯度和适当优化弛豫SiGe层的外延生长工艺,有效地降低了表面粗糙度和位错密度.与Ge组分突变相比,采用线性渐变组分后,应变硅材料表面粗糙度从3.07nm减小到0.75nm,位错密度约为5×104 cm-2,表面应变硅层应变度约为0.45%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许军	清华大学微电子学研究所	32	200	7.0	13.0
2	刘志弘	清华大学微电子学研究所	20	75	4.0	8.0
3	徐阳	清华大学微电子学研究所	11	45	4.0	6.0
4	钱佩信	清华大学微电子学研究所	29	158	7.0	11.0
5	梁仁荣	清华大学微电子学研究所	10	43	4.0	6.0
6	王敬	清华大学微电子学研究所	9	53	5.0	7.0