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摘要:
对SiO2磨料抛光蓝宝石衬底片进行了研究.结果表明,采用大粒径、高浓度的SiO2磨料抛光,可以获得良好的表面状态和较高的去除速率.抛光的适宜温度及pH值条件为:T=30 ℃;12.0>pH值≥9.0.并且,在抛光时应加入适量添加剂,方可获得较为理想的表面状态和较高的去除速率.实验同样证明,这种低成本、高质量的抛光除了可以应用于蓝宝石的抛光以外,还可以应用在其它一些硬质材料的抛光工艺中.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 蓝宝石衬底片的精密加工
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 蓝宝石 化学机械抛光 硅溶胶 SiO2磨料
年,卷(期) 2006,(1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 46-48
页数 3页 分类号 TN405
字数 2346字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.01.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 檀柏梅 河北工业大学微电子技术与材料研究所 85 534 13.0 18.0
2 刘玉岭 河北工业大学微电子技术与材料研究所 263 1540 17.0 22.0
3 王娟 河北工业大学微电子技术与材料研究所 40 220 8.0 12.0
4 李薇薇 河北工业大学微电子技术与材料研究所 27 172 8.0 10.0
5 周建伟 河北工业大学微电子技术与材料研究所 40 197 8.0 11.0
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研究主题发展历程
节点文献
蓝宝石
化学机械抛光
硅溶胶
SiO2磨料
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
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