800 V SOI介质隔离技术研究

• 作者: 刘勇 杨春 王华 罗晓蓉 罗萍
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 介质隔离 化学机械抛光 击穿电压
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 265-268
• 页数: 4页
• 分类号: TN405.95
• 字数: 2403字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2006.03.003

摘要

高低压隔离是SOI(Silicon-on-Insulator)高压功率集成电路的关键问题之一.文章对SOI介质隔离问题进行了深入研究.通过理论分析和数值仿真,探讨其耐压机理,并对结构参数进行了优化;设计了包含低淀氮化硅、化学机械抛光(CMP)等关键步骤的新的SOI介质隔离工艺流程.实验结果表明,在膜厚为20 μm的SOI上,可以实现击穿电压800 V以上的介质隔离结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘勇	中国电子科技集团公司第二十四研究所	32	121	6.0	9.0