ZnO单晶薄膜光电响应特性

• 作者: 冯士维 卢毅成 吕长志 张跃宗 李瑛 杨集 谢雪松
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶ZnO MOCVD 光电响应 AR膜 RF溅射损伤
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 96-99
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2803字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.020

摘要

对采用MOCVD方法沉积的ZnO单晶薄膜的欧姆接触特性、光电特性进行了研究,并对比研究了射频溅射沉积SiO2抗反射膜对ZnO薄膜I-V、光电特性的影响.实验结果表明,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO形成了良好的欧姆接触,溅射沉积SiO2在ZnO表面引入了载流子陷阱,影响I-V特性,延长了光响应下降时间.ZnO单晶薄膜光电导也具有时间退化现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕长志	北京工业大学电子信息与控制工程学院	60	471	12.0	18.0
2	张跃宗	北京工业大学电子信息与控制工程学院	10	105	6.0	10.0
3	冯士维	北京工业大学电子信息与控制工程学院	59	438	12.0	18.0
4	谢雪松	北京工业大学电子信息与控制工程学院	66	554	14.0	20.0
5	杨集	北京工业大学电子信息与控制工程学院	9	152	7.0	9.0
6	李瑛	北京工业大学电子信息与控制工程学院	7	141	6.0	7.0