延续摩尔定律的新材料——应变Si

• 作者: 任冬玲 宋建军 张鹤鸣 户秋瑾 舒斌
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 应变Si 应力引入 衬底致双轴应变 工艺致单轴应变
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 650-652
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 2337字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.08.002

摘要

介绍了应变Si材料的需求背景和必要性.阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善,在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后,讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高.简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平,以及国内对应变Si的研究状况,并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	舒斌		2	30	2.0	2.0
2	张鹤鸣		2	30	2.0	2.0
3	任冬玲		2	30	2.0	2.0
4	户秋瑾		1	25	1.0	1.0
5	宋建军		1	25	1.0	1.0