抛光垫表面特性分析

• 作者: 傅宇 张学良 杜家熙 苏建修 郭东明 陈锡渠
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 材料去除机理 高分子材料 抛光垫 表面特性
• 年，卷（期）: 2007,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 957-960
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2|TB324
• 字数: 2548字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2007.11.010

摘要

研究抛光垫表面特性有利于了解和分析硅片化学机械抛光(CMP)材料的去除机理及优化抛光垫的微观结构.使用ZYGO 5022轮廓仪、SEM等仪器研究了IC1000/SubaIV平抛光垫表面粗糙度、表面组织结构、孔隙率、微孔深度及直径、抛光垫表面微凸峰分布形式及面积支承率,测量和计算的结果:抛光垫表面粗糙度为σP(RMS)=6.8μm,均方根粗糙度9.4μm,表面孔隙率为56%,平均孔径为36μm,平均孔深为20μm,平均孔距为43μm,微孔数量为550个/mm2,抛光垫表面微凸峰高度服从高斯分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭东明	大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室	273	4547	35.0	54.0
2	陈锡渠		40	108	6.0	9.0
3	杜家熙		31	156	8.0	12.0
4	张学良		15	45	4.0	6.0
5	苏建修		43	283	9.0	15.0
6	傅宇		17	104	6.0	10.0