采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌

• 作者: 周秀菊 姬长建 尹志军 曹先存 李新化 段铖宏 王玉琦 邱凯 钟飞 陈家荣 韩奇峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 调制中断 表面形貌 GaN薄膜
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1221-1225
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.011

摘要

使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.