适用于超深亚微米光刻仿真的建模和优化

• 作者: 严晓浪 史峥 沈珊瑚 谢春蕾
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻建模 版图轮廓 圆极化采样 遗传算法 光学邻近校正
• 年，卷（期）: 2007,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1320-1324
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 4187字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.08.030

摘要

提出了一种新颖的利用版图轮廓的超深亚微米光刻工艺建模流程.该流程采用的方法主要包括:首先将代表纯光学模型的传输交叉系数矩阵通过圆极化采样正交投影成更小规模的矩阵,同时用该组相同的极化采样基表示掩模图形;然后用目标电路版图的严格3D仿真结果或其SEM轮廓图对该新系统进行半经验化的校正.在模型校正过程中引入了基于遗传算法的全局优化算法. 实验结果显示,该方法能够快速有效地模拟用传统方法不能准确模拟的超深亚微米新出现的一些畸变效应.由于最终的模型是用一批卷积核的形式表示,建成的模型能够满足光学邻近校正对准确性和快速性的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史峥	浙江大学超大规模集成电路研究所	51	176	7.0	11.0
2	严晓浪	浙江大学超大规模集成电路研究所	246	1634	19.0	29.0
3	谢春蕾	浙江大学超大规模集成电路研究所	2	2	1.0	1.0
4	沈珊瑚	浙江大学超大规模集成电路研究所	4	7	2.0	2.0