蒸发速率对Si衬底上SSMBE外延SiC薄膜的影响

• 作者: 任鹏 刘忠良 刘金锋 徐彭寿
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 蒸发速率 碳化硅 硅衬底 固源分子束外延
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 299-302
• 页数: 4页
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 2814字
• 语种: 中文

摘要

采用固源分子束外延(SSMBE)生长技术,用不同的蒸发速率,在Si(111)衬底上生长SiC薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)等实验技术,对生长的样品的形貌和结构进行研究.结果表明,在优化的蒸发速率(1.0 nm·min-1)下,所生长的薄膜质量最好.低的蒸发速率(0.25 nm·min-1)难以抑制孔洞的形成,衬底的Si原子可通过这些孔洞扩散到样品表面,导致结晶质量变差.在高的蒸发速率(1.8 nm·min-1)下,以岛状方式生长甚至以团簇聚集,表面的原子难以迁移到最佳取向的平衡位置,导致样品表面粗糙度变大,薄膜的结晶质量变差,甚至出现多晶.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	任鹏	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	14	55	5.0	6.0
3	刘忠良	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	17	101	6.0	9.0
4	刘金锋	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	12	71	5.0	8.0