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摘要:
研究了一种常用Widlar型基准电流源结构,分析电源电压对于基准电流的影响.通过引入小信号分析方法,建立基准电流源的小信号等效模型,运用反馈电路分析理论,得出基准电流与电源电压之间的关系.进而通过改进基准电流源的结构以增大反馈回路增益,减小电源电压对于工作点的影响,设计出一个具有高电源抑制比的基准电流源.该电路经由UMC 0.6 μmBICMOS工艺仿真,当电源电压在2.7~5.5 V时,其电源抑制比高达193 dB,电压调整率仅为250×10-6/V.
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文献信息
篇名 基准电流源的小信号分析与设计
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 基准电流源 小信号分析 电源抑制比
年,卷(期) 2008,(1) 所属期刊栏目 技术专栏(电路设计技术)
研究方向 页码范围 42-45
页数 4页 分类号 TN431.1
字数 2833字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冯全源 西南交通大学微电子研究所 261 1853 19.0 26.0
2 冯春涛 西南交通大学微电子研究所 1 0 0.0 0.0
3 王锴 西南交通大学微电子研究所 1 0 0.0 0.0
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1971(1)
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2008(0)
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研究主题发展历程
节点文献
基准电流源
小信号分析
电源抑制比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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