不同温度下半导体硅势垒的正向I-V特性曲线的汇聚特性

• 作者: 卢烁今 宗福建 张兴华 朱阳军 苗庆海
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体势垒 禁带宽度 汇聚点 正向I-V特性曲线
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 663-667
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 1183字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.010

摘要

以正向电压为自变量,以正向电流的对数为应变量,以温度为参数得到的p-n结的I-V-(T)特性曲线在第一象限中近似汇聚于一点.汇聚点对应的电压近似等于半导体材料的禁带宽度.汇聚点可以用来获取任意温度下的I-V特性曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴华	山东大学物理与微电子学院	52	342	11.0	14.0
2	宗福建	山东大学物理与微电子学院	13	37	5.0	5.0
3	苗庆海	山东大学物理与微电子学院	14	69	6.0	7.0
4	朱阳军	山东大学物理与微电子学院	3	18	2.0	3.0
5	卢烁今	山东大学物理与微电子学院	5	28	3.0	5.0