应用于AlGaN/GaN HEMTs MMIC薄膜电阻的特性与可靠性

• 作者: 刘新宇 吴伟超 姚小江 蒲颜
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: TaN NiCr 薄膜电阻 可靠性 微波集成电路
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1246-1248
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 862字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.003

摘要

TaN和NiCr是AlGaN/GaN HEMTs微波集成电路中薄膜电阻最为常用的两种材料.文中对比了在SiC衬底上生长的这两种材料的薄膜电阻的可靠性.通过TaN和NiCr薄膜电阻的对比,发现TaN薄膜电阻的方块电阻(Rs)随着退火温度的上升而增大,然而NiCr薄膜电阻的Rs却出现相反的趋势.同时发现随着退火温度的上升TaN薄膜电阻的s.和接触电阻(Rc)的变化远远小于NiCr薄膜电阻的变化.在400℃退火及等离子刻蚀机的氧等离子暴露后,TaN薄膜电阻的Rs只下降了0.7Ω,大概2.56%,并且Rc上升了0.1Ω,大概6.6%.但是NiCr薄膜电阻的Rs.和Rc在不同的退火条件下经过氧等离子暴露后发生了很大的变化.因此,TaN薄膜电阻在氮气保护下经过400℃退火后在氧等离子暴露下更为稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	姚小江	中国科学院微电子研究所	7	38	3.0	6.0
3	蒲颜	中国科学院微电子研究所	2	1	1.0	1.0
4	吴伟超	中国科学院微电子研究所	1	1	1.0	1.0