Si(001)外延ZnSe薄膜界面原子的结合与成键

• 作者: 张建兵 张道礼 翟光美 陈良艳
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 第一性原理 结合能 共价成键 ZnSe薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 66-70
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3007字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.08.019

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理计算,通过对Si(001)和氮化Si(001)表面单层Zn/Se原子结合的方式,模拟ZnSe外延薄膜的二维生长模式,从单层原子结合能、界面原子电子得失、共价结合成键的角度解释了Zn/Se原子在衬底表面的黏附性问题,阐述了薄膜生长初期界面无定形Se出现等现象,分析了氮化Si(001)表面对薄膜二维均匀生长的作用,结果显示N的引入缓和了Si衬底的非极性共价结合与ZnSe原子间的极性离子键结合之间的异质差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张道礼	华中科技大学电子科学与技术系	33	158	7.0	10.0
2	陈良艳	华中科技大学电子科学与技术系	1	0	0.0	0.0
3	翟光美	华中科技大学电子科学与技术系	1	0	0.0	0.0
4	张建兵	华中科技大学电子科学与技术系	4	23	2.0	4.0