化学机械抛光过程优化研究

• 作者: 周国安 詹阳
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械平坦化 去除率 碟形缺陷 侵蚀 下压力 颗粒尺寸
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 制造工艺与设备
• 页码范围: 37-39
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1197字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2009.04.007

摘要

根据承载器与抛光台的转速、浆料中微粒尺寸及下压力对抛光工艺的影响进行统计分析.特别是工艺中的抛光去除率、金属碟形缺陷和层间介质的侵蚀作为输出结果的主要参考因素.采用3水平3因数的实验方案,结合信噪比方式对数据进行处理,使用田口玄一法进行数据的加工.从形成的3参数3水平对输出结果影响的3子图上,获取最优的工艺参数组合.选取根据经验的常用参数组合作为参照.发现新的优化方式能够提高10%的去除率,降低15%的碟形缺陷和侵蚀.显著的改善抛光质量.