Si3N4钝化层质量分析研究

• 作者: 丁丽 严如岳 何友琴 何秀坤 刘立娜 李宝珠 李雨辰 章安辉 马农农
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 钝化层 表面分析 生成物
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 142-145
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.010

摘要

采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系.通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效.实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过100O h电老化后芯片表面无生成物产生.