Cu通孔诱导的应力对CMOS迁移率影响分析

• 作者: 汪辉 许建华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 通孔 键合 应力 迁移率 芯片互连 3D芯片技术
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进工艺技术)
• 页码范围: 221-224
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1|TN305.94
• 字数: 2236字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.03.006

摘要

利用Si片中填充Cu通孔技术实现芯片间互连是目前最有前景的三维芯片技术.利用有限元模型仿真研究了Cu通孔在Si中引起的诱导应力对CMOS晶体管迁移率的影响.分析了键合力、键合温度、通孔直径和Si片厚度等因素的影响.研究发现,Si中诱导应力的主因是键合温度,且诱导应力随Si片厚度降低而减小.同时,晶体管免受区正比于通孔的直径,且PMOS迁移率变化率对应力的敏感程度要大于NMOS,因而PMOS的免受区决定整个CMOS工艺的免受区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪辉	上海交通大学微电子学院	33	81	4.0	7.0
2	许建华	上海交通大学微电子学院	2	3	1.0	1.0