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基于SiGe-0.13μm X波段高效率功率放大器
BVCBO
BVCEO
Class-E
SiGe
功率放大器
0.35μm SiGe BiCMOS 10 Gb/s激光驱动芯片设计
激光驱动芯片
MOS-HBT结构
锗硅BiCMOS工艺
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高速比较器分析与设计
锗硅
高速比较器
主从锁存器
精度
基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的60GHz VCO分析与设计
锗硅
压控振荡器
传输线
相位噪声
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 80 Gb/s 2 : 1 multiplexer in 0.13-μm SiGe BiCMOS technology
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 81-84
页数 4页 分类号 TN3
字数 语种 中文
DOI 10.1088/1674-4926/30/2/025008
五维指标
传播情况
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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