快速热退火制备多晶硅薄膜的研究

• 作者: 仲志国 吕晓东 王红娟 黄义定
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体材料 快速热退火 多晶硅薄膜 升温速率 晶粒度
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 55-57
• 页数: 3页
• 分类号: TM23
• 字数: 2547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.04.017

摘要

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积非晶硅薄膜,然后在快速热退火炉中进行退火.研究了升温速率、降温速率对晶化的影响.结果表明:退火中,升温速率越大,越不利于晶核的形成;降温速率较小时(100℃/60 s),形成的晶粒尺寸较小,晶化情况较好,晶化率估算达64.56%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	仲志国	南阳师范学院物理与电子工程学院	27	148	7.0	11.0
2	吕晓东	南阳师范学院物理与电子工程学院	13	61	4.0	7.0
3	王红娟	南阳师范学院物理与电子工程学院	15	42	4.0	5.0
4	黄义定	南阳师范学院物理与电子工程学院	15	60	4.0	7.0