高隔离度宽频段组合式RF-MEMS开关的设计

• 作者: 孙建海 崔大付 张璐璐
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 组合式射频微电子机械系统开关 插入损耗 隔离度 微波控制系统
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 251-253,265
• 页数: 4页
• 分类号: TM564
• 字数: 1728字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.03.014

摘要

接触式与电容耦合式两类RF MEMS开关各自在一定的频段内,都具有较高的隔离度,但仍然很难满足微波控制系统中对高隔离度的要求.为了获得全波段高隔离度RF MEMS开关,单元开关很难达到要求,在此目标要求下,提出了组合式RF MEMS开关的设计,分别利用HFSS软件对各单元进行结构参数优化,再将两者集成在一起,得到的组合式RF MEMS开关,这种组合式开关在0～20 GHz时隔离度都高于-60 dB,在(≤5 GHz),隔离度高于-70 dB,这是一般单元开关及其他半导体固态开关所无法企及的,而且,在DC～20 GHz范围内,开关的插入损耗小于-0.20 dB,而且并没因隔离度的提高,牺牲了插入损耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔大付	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	77	974	17.0	27.0
2	孙建海	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	20	82	6.0	8.0
3	张璐璐	中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室	22	102	4.0	9.0