衬底温度和氢气退火对ZnO:Al薄膜性能的影响

• 作者: 尹玉刚 张惠 李斌斌 沈鸿烈
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO:Al薄膜 氢气退火 电阻率 光透过率 Burstein-Moss效应
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|O484.4
• 字数: 3304字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.01.15

摘要

采用射频磁控溅射法在石英玻璃衬底上制备了性能良好的透明导电ZnO:Al薄膜,并研究了衬底温度和氢气退火对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明,衬底加热可以改善薄膜结晶质量和c轴择优取向,减小内应力,并提高其电学性能.经稀释氢气退火后,500℃沉积的薄膜电阻率由9.4×10~(-4)Ω·cm减小到5.1×10~(-4)Ω·cm,迁移率由16.4cm2·V~(-1)·s~(-1)增大到23·3 cm2·V~(-1)·s~(-1),载流子浓度由4.1×1020cm~(-3)提高到5.2×1020cm~(-3),薄膜的可见光区平均透射率仍达85%以上.禁带宽度随着衬底温度的升高和氢气退火而展宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈鸿烈	南京航空航天大学材料科学与技术学院	93	264	9.0	10.0
2	李斌斌	南京航空航天大学材料科学与技术学院	23	157	8.0	10.0
3	尹玉刚	南京航空航天大学材料科学与技术学院	3	26	3.0	3.0
4	张惠	南京航空航天大学材料科学与技术学院	3	31	3.0	3.0