前栅工艺下高k/金属栅CMOS器件EOT控制技术研究

• 作者: 蔡雪梅 陈世杰
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 高k栅介质 EOT 前栅工艺 氧吸除
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: IC制造工艺与设备
• 页码范围: 7-12,20
• 页数: 7页
• 分类号: TN405
• 字数: 3368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2010.04.003

摘要

随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重.传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高后)取代SiO2已成为必然趋势.而在前栅工艺下,SiO2界面层生长问题严重制约了EOT的缩小以及器件性能的提升.介绍了一种前栅工艺下的高后/金属栅结构CMOS器件EOT控制技术,并成功验证了Al元素对SiO2界面层的氧吸除作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡雪梅	重庆邮电大学光电工程学院	25	151	5.0	12.0
2	陈世杰	重庆邮电大学光电工程学院	2	5	1.0	2.0