一种多频带高线性度CMOS单边带混频器

• 作者: 孙敏 张海英 李志强 王云峰 郭瑞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多频带 高线性度 有源巴伦 带内平坦度 单边带混频器
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用
• 页码范围: 455-458
• 分类号: TN773
• 字数: 1745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.06.010

摘要

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一种多频带高线性度的单边带(SSB)混频器.该混频器以经典的电流换向结构为基础,采用电阻负载以满足多频带工作、高线性度和高带内增益平坦度要求,并节省了面积.通过集成有源巴伦将混频器输出差分信号转换成单端信号,提高了发射机的系统集成度且有利于降低功耗.测试结果表明:在2.3～2.4 GHz及3.4～3.6 GHz工作频带内,IP1dB大于0 dBm,带内增益平坦度小于0.5 dB,本振泄漏小于-47 dBm,镜像信号抑制大于36 dB,为LTE标准的无线射频前端芯片的进一步研究提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	王云峰	中国科学院微电子研究所	56	597	13.0	22.0
3	李志强	中国科学院微电子研究所	53	335	11.0	15.0
4	郭瑞	中国科学院微电子研究所	20	175	7.0	13.0
5	孙敏	中国科学院微电子研究所	9	21	3.0	4.0