VHF/UHF宽带低噪声放大器设计

• 作者: 郝景红 韩玉朝 高长征
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽带 低噪声 放大器 高三阶截止点 红外热成像
• 年，卷（期）: 2011,（7）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与应用
• 页码范围: 533-537
• 分类号: TN722.3
• 字数: 2137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.07.009

摘要

介绍了VHF/UHF宽带低噪声放大器的设计与实现.利用软件对放大器的电性能及有源芯片的沟道温度进行了仿真、优化.电路制作完成后,与实际测试结果进行了对比分析,并且结合不同电路形式,开发了系列化放大器.该系列放大器采用GaAs PHEMT管芯,微波薄膜工艺,封装在密封的金属或陶瓷管壳中,性能优异,体积小、噪声低、动态范围大,可适应目前微波整机向小型化、高可靠方向发展的需求,有着广泛的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高长征	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	22	3.0	4.0
2	郝景红	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	3	1.0	1.0
3	韩玉朝	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	0	0.0	0.0