基片温度对射频磁控溅射碲化铋薄膜微结构和表面形貌的影响

• 作者: 曾志刚 杨鹏辉 胡志宇
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碲化铋 热电薄膜 磁控溅射 基片温度
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 504-508
• 分类号: O484
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.06.11

摘要

碲化铋材料是目前已知的室温下性能优异的热电材料之一.本文利用射频磁控溅射在不同基片温度下制备了碲化铋薄膜.研究发现,基片温度对薄膜的微结构和表面形貌影响显著.随着温度的提高,薄膜内晶粒尺寸都不同程度地增加.基片温度100℃以上碲化铋薄膜为Bi2Te3相为主的多晶结构,并具有良好的c轴择优取向,形成了六角层状结构.基片温度250℃时薄膜转变为BiTe相,并在表面生成Te长条状颗粒.应力分析表明碲化铋薄膜与Si(100)基片之间的残余应力受温度影响明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾志刚	上海大学纳微能源研究所	10	21	4.0	4.0
2	杨鹏辉	上海大学纳微能源研究所	4	16	3.0	4.0
3	胡志宇	上海大学纳微能源研究所	13	24	4.0	4.0