InP/InGaAs异质结载流子输运特性的仿真

• 作者: 吕红亮 宁旭斌 张义门 张玉明 张金灿 许俊瑞
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 流体动力学 热电子发射 隧穿 异质结
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 733-736
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2033字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.05.031

摘要

主要对InP/InGaAs异质结进行数值仿真.考虑到异质结界面存在导带不连续和价带不连续,在流体动力学模型的基础上,采用热电子发射模型和隧穿模型,对异质结的直流特性进行仿真.结果表明,热电子发射效应和隧穿效应对异质结界面载流子的输运有很大影响.仿真结果与实验结果基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室	126	777	15.0	20.0
3	吕红亮	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室	18	88	5.0	9.0
4	许俊瑞	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室	1	5	1.0	1.0
5	张金灿	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室	1	5	1.0	1.0