低压沟槽功率MOSFET导通电阻的最优化设计

• 作者: 冯全源 陈力
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 MOSFET 沟槽 击穿电压 导通电阻
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 725-728,732
• 分类号: TN492
• 字数: 2898字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-3365.2012.05.029

摘要

研究了低压沟槽功率MOSFET(＜100 V)在不同耐压下导通电阻最优化设计的差别.给出了确定不同耐压MOSFET参数的方法,简要分析了沟槽MOSFET的导通电阻；利用Sentaurus软件对器件的电性能进行模拟仿真.理论和仿真结果均表明,耐压高的沟槽MOSFET的导通电阻比耐压低的沟槽MOSFET更接近理想导通电阻,并且,最优导通电阻和最优沟槽宽度随着耐压的提高而逐渐增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯全源	西南交通大学微电子研究所	261	1853	19.0	26.0
2	陈力	西南交通大学微电子研究所	7	21	3.0	4.0