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摘要:
阐述了对原GaAs单晶拉制用LEC单晶炉热系统进行改造使其适于Si1-xGex单晶生长的过程.借助数值模拟的方法分析了晶体生长区域内的温度分布情况,并通过分析发现了原有热系统的不足.重新对原热系统进行了改造,添加了起到保温和氩气导流作用的热屏和上保温装置,使原来的敞开式热场变为密闭式热场,满足了Si1-xGex单晶拉制的要求.通过具体实验和数值模拟结合,分析了氩气流场及不同流场对晶体生长的影响,发现并改进了单晶炉的氩气供给装置存在的问题.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Si1-xGex单晶用热系统改进
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 数值模拟 Si1-xGex单晶 热屏 氩气流场
年,卷(期) 2013,(9) 所属期刊栏目 半导体制造工艺与设备
研究方向 页码范围 1-4,38
页数 5页 分类号 TN304.9
字数 2842字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 韩焕鹏 中国电子科技集团公司第四十六研究所 28 43 4.0 5.0
2 刘锋 中国电子科技集团公司第四十六研究所 15 20 3.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
数值模拟
Si1-xGex单晶
热屏
氩气流场
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
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10002
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