一种带新型功率检测电路的SiGe功率放大器设计

• 作者: 杨浩 郝明丽 郭瑞 陈春青 陈晓哲
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 SiGe 自偏置 功率检测 异质结双极晶体管(HBT)
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 566-570,580
• 分类号: TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2013.08.002

摘要

针对ISO/IEC 18000-6C协议的应用要求,设计了一款应用于手持超高频无线射频识别(UHF RFID)读写器输出端的两级SiGe功率放大器.在设计中采用了一种新型的晶体管面积推算方法,能够根据最大输出功率的要求,较准确的推算出所需要的晶体管发射极面积,对于基于异质结双极晶体管(HBT)工艺的功率放大器设计有一定的参考价值.此外还提出了一种新型的自偏置功率检测电路结构,在保证检测性能的同时减小了芯片面积.实际测试结果显示,在3.3V的偏压下,功率放大器在1 dB压缩点处的输出功率可以达到24.1 dBm,对应的功率附加效率为26.6％,功率检测电平为2.63 V.整体芯片面积为0.6 mm×0.72 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨浩	中国科学院微电子研究所	112	4085	31.0	63.0
2	郝明丽	中国科学院微电子研究所	20	65	5.0	6.0
3	郭瑞	中国科学院微电子研究所	20	175	7.0	13.0
4	陈晓哲	中国科学院微电子研究所	7	26	3.0	5.0
5	陈春青	中国科学院微电子研究所	3	1	1.0	1.0