硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展

• 作者: 刘超 崔利杰 张理嫩 曾一平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅱ-Ⅵ族化合物材料 硅基 多结(MJ)太阳电池 分子束外延(MBE) 光伏效率
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 241-247
• 分类号: TM914.4|TN304.25
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.04.001

摘要

Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池.综述了MBE生长的Si基高质量CdTe和CdZnTe单晶薄膜以及对其进行n型和p型掺杂实验的研究进展.着重介绍了美国EPIR公司对以p-Si为衬底的CdZnTe单结电池和CdZnTe/Si双结电池原型器件的研究成果,其光伏转换效率分别达到了16％和17％,分析了研制高效率Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池面临的技术问题和提高电池效率的可能途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	85	439	11.0	16.0
2	刘超	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	128	874	18.0	25.0
3	崔利杰	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	10	62	4.0	7.0
4	张理嫩	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	2	1	1.0	1.0