放电功率对VHF-PECVD沉积微晶硅薄膜的生长特性的仿真模拟

• 作者: 卢景霄 李新利 郝秀利 陈喜平 陈永生
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅薄膜 模拟 光发射谱
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 太阳能利用技术
• 页码范围: 91-95
• 分类号: O472+.1|O472+.3|O4O539
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2014.01.18

摘要

甚高频等离子体增强化学气相沉积技术是当前高速制备优质微晶硅(uc-Si:H)薄膜的主流方法,其生长机理也一直是研究的热点和难点.本文采用Comsol软件中的等离子模块和Chemkin软件中的AUROR模块相结合的方法,对心和SiH4混合气体等离子体放电、气相反应和表面生长过程进行了数值模拟,研究了沉积功率对μc-Si:H薄膜沉积速率和结构特性的影响.首先,通过一维的放电模型,获得电子温度和电子浓度等等离子体参数.随后,将该参数带入气相和表面反应模型,得到各种粒子的气相浓度和薄膜的特性参数.模拟过程涉及24个电子碰撞反应、42个气相反应和43个表面反应.同时利用光发射谱对实验过程中等离子辉光特性进行了在线检测,并制备了实验样品.将模拟的SiH3基团、H原子的气相浓度以及它们的比值,生长速率,薄膜中的氢含量和薄膜生长取向等同实验进行了对比,发现能够较好的吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
2	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
3	李新利		23	18	2.0	2.0
4	陈喜平	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0
5	郝秀利	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	1	3	1.0	1.0