2～4GHz MMIC低噪声放大器

• 作者: 孙艳玲 樊渝 许春良 魏碧华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 负反馈 宽带
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 733-736
• 分类号: TN43|TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.10.003

摘要

采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2～4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA).该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联负反馈和输入匹配电路,实现噪声匹配和输入匹配.第二级采用串联、并联负反馈,提高电路的增益平坦度和稳定性.每一级采用自偏电路设计,实现单电源供电.MMIC芯片测试结果为:工作频率为2～4 GHz,噪声系数小于1.0dB,增益大于27.5 dB,1 dB压缩点输出功率大于18 dBm,输入、输出回波损耗小于-10 dB,芯片面积为2.2mm×1.2 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许春良	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	14	2.0	3.0
2	魏碧华	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	14	2.0	3.0
3	孙艳玲	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	31	3.0	5.0
4	樊渝	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	0	0.0	0.0