界面极化效应对AlGaN/4H-SiC HBT器件性能影响研究

• 作者: 周守利 安军社 李伽 梁显锋
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/4H-SiC HBT 异质结界面 极化效应 热场发射-扩散
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 49-52
• 分类号: TN385
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2014.01.11

摘要

AlGaN/4H-SiC异质结界面存在大的自发和压电极化效应,从而使界面出现较多数量的极化电荷,这导致器件电学性能的改变.利用热场发射-扩散模型,基于数值模拟方法研究了异质结界面极化效应产生的极化电荷对A1GaN/4H-SiC HBT器件直流性能和高频性能的影响.得到了AlGaN/4H-SiC异质结界面极化效应引诱的正极性极化界面电荷削弱了异质结的内建电场,加速了载流子的扩散运动,因而能促进载流子的输运,从而使器件的直流特性和高频特性得到改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周守利	浙江工业大学信息学院	26	40	4.0	5.0
2	李伽	浙江工业大学信息学院	11	3	1.0	1.0
3	梁显锋	中科院国家空间中心	1	0	0.0	0.0
4	安军社	中科院国家空间中心	4	71	3.0	4.0