3 mm 波段低噪声放大器

• 作者: 刘会东 刘永强 张力江 蔡树军 魏洪涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 3mm波段 单片式微波集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) InP HEMT 噪声模型
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 410-413,418
• 分类号: TN304.2|TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.06.002

摘要

基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能,设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器.通过合理设计外延材料结构和器件结构,提高器件性能.测试1～40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75～110 GHz器件的S参数,并采用外推的方法建立了器件的噪声模型.电路设计采用ADS仿真软件,采用全版图电磁场仿真保证电路设计的准确性,最终实现了一款3 mm波段低噪声放大器.测试结果显示在92～96 GHz时,带内增益大于20 dB,噪声系数小于4.0 dB.芯片面积3.07 mm×1.75 mm,直流功耗60 mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张力江	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	32	3.0	5.0
2	蔡树军		18	62	4.0	7.0
3	魏洪涛		4	5	2.0	2.0
4	刘会东	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	7	2.0	2.0
5	刘永强		1	3	1.0	1.0