1.1 dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器

• 作者: 张海英 戴志伟 杨浩 郑新年
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC) 噪声优化 回波损耗
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 321-325
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.05.001

摘要

设计与实现了一款两级赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).考虑到实际片上无源电感的性能(低Q值),最优噪声匹配往往不能获得最好的噪声性能,相反因为输入电感的存在会增加芯片的面积.设计旨在选择合适的输入晶体管,以免除输入电感的使用,减小芯片的面积.经过优化设计,芯片尺寸为0.8 mm×0.8 mm.测试结果表明,放大器在3.4～3.6 GHz频段内实现了1.1 dB的噪声系数以及25.8 dB的小信号增益,带内回波损耗最大值为-16.5 dB.在回波损耗小于-10 dB的范围内,电路带宽拓展到2.8～4.7 GHz,此时增益最小值为20 dB,噪声最大值为1.3 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张海英	中国科学院微电子研究所	114	574	11.0	17.0
2	杨浩	中国科学院微电子研究所	112	4085	31.0	63.0
3	郑新年	中国科学院微电子研究所	4	7	2.0	2.0
4	戴志伟	中国科学院微电子研究所	5	27	3.0	5.0