WLAN应用的SiGe功率放大器中功率单元优化设计

• 作者: 张先仁 阮颖 陈磊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率单元 功率放大器 SiGe 无线局域网(WLAN) 线性度
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 641-645
• 分类号: TN402|TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.001

摘要

针对无线局域网应用的射频功率放大器(PA)性能要求,提出并实现了4种结构类型的功率单元,运用优选的功率单元进行了PA芯片设计.基于0.18 μm 2P6M SiGe∶C BiCMOS工艺,选取48个发射极条数为4、长宽尺寸为1 μm×20μm的SiGe HBT,分别设计实现发射极对称、平行馈入、鱼骨型及蝶型结构的功率单元.直流(DC)特性参数测试结果表明,4种功率单元直流功率特性稳定,电流增益β约为190,击穿电压VBCEO达7.5V.射频(RF)性能测试结果表明,在集-射极电压KCE为3.5V和基-射极电压VBE为0.78 V的偏置条件下,平行馈入结构具有较高的输出功率、附加效率和功率增益.基于平行馈入结构的功率单元设计了一款三级SiGePA,测试结果表明,在2.4 GHz频率下,该PA的输出1 dB压缩点功率达25.48 dBm,功率附加效率为26％,功率增益为27.12 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈磊	上海电力学院电子与信息工程学院	7	17	2.0	4.0
2	阮颖	上海电力学院电子与信息工程学院	11	37	3.0	5.0
3	张先仁	华东师范大学微电子电路与系统研究所	2	7	1.0	2.0