肖特基金属对AlGaN/GaN二极管电学特性的影响

• 作者: 吕元杰 王丽 邱旭
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 肖特基势垒高度 金属功函数 二维电子气(2DEG)密度 电子耦合
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 674-678
• 分类号: TN304.23|TN312
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.09.008

摘要

肖特基金属影响AlGaN/GaN异质结材料的电学特性.在AlGaN/GaN异质结材料上分别制备得到铱/金(Ir/Au)、镍/金(Ni/Au)和铼/金(Re/Au)三种不同肖特基接触的二极管器件,基于电流电压(Ⅰ-Ⅴ)和电容电压(C-V)测试结果,计算得到了三者的沟道二维电子气(2DEG)密度.并通过薛定谔和泊松方程自洽求解计算得到了三者的肖特基接触势垒高度、导带底能带图和沟道2DEG分布情况.研究发现金属功函数越小,势垒高度反而越高,沟道2DEG密度越小,GaN侧的沟道三角形势阱变得越浅.这主要是由于金属功函数越小,电子能量越高,与AlGaN势垒层表面态的电子耦合作用越强所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱旭	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	12	2.0	3.0
2	吕元杰		12	11	2.0	2.0
3	王丽		4	4	2.0	2.0