高效率包络跟踪功率放大器

• 作者: 宋贺伦 张耀辉 曾大杰 袁芳标
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 包络跟踪 功率放大器(PA) 高效率 横向双扩散晶体管(LDMOS) 开关管
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 494-498
• 分类号: TN385|TN722.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.004

摘要

基于功率放大器(PA)效率提高技术,设计了一套包络跟踪(ET)功率放大器系统,射频(RF)功率放大器的漏极采用三电位G类结构的包络跟踪放大器提供自适应电压偏置,包络放大器包含两个自主设计的横向双扩散晶体管(LDMOS)开关管,RF功率放大器采用自主研发的LDMOS功率放大管进行优化匹配设计.在连续波(CW)信号激励下,28 V恒定电压下测得功率放大器在2.11 GHz下饱和输出功率为40 dBm,饱和漏极效率为51％,输出功率回退8 dB时的漏极效率为22％,采用包络跟踪后提高至40％.在8 dB峰均比(PAR) WCDMA信号激励下,28 V恒定电压下测得功率放大器的平均效率为21％,采用包络跟踪后提高至35％.实验结果表明,采用自主设计的LDMOS开关管和LDMOS功率放大管应用到包络跟踪系统后,功率放大器的效率明显提高,验证了包络跟踪技术的优势和自主设计的LDMOS管芯的优越性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张耀辉	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	11	27	4.0	4.0
5	宋贺伦	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	8	26	4.0	4.0
9	曾大杰	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	3	7	2.0	2.0
10	袁芳标	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	1	2	1.0	1.0