LEC-InP晶体中孪晶现象的研究

• 作者: 孙同年 孙聂枫 李晓岚 李玉茹
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: LEC-InP 孪晶 过冷度 降温速率 平滑转肩
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 289-293
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.04.008

摘要

在LEC-InP晶体生长过程中,孪晶的产生是一个影响InP单晶率的突出问题.生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶一直是InP单晶生长技术的研究重点.国内外学者研究了影响孪晶产生的相关因素,但具体产生机制仍未确定.大量的实验研究表明InP晶体中的孪晶通常出现在三相界面处的边缘小平面上,且不论内砍还是外切孪晶均产生在{111}面上.晶体生长转肩过程中改变提拉速度会导致边缘过冷度增加,很容易产生孪晶.研究表明可以调整降温速率来实现对晶体直径的控制,减少拉速改变的频率避免造成边缘处过冷度增大,使得晶体生长实现平滑转肩,减小转肩时孪晶的产生概率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉茹	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	2	1.0	1.0
2	孙同年	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	5	1.0	2.0
3	孙聂枫		8	24	3.0	4.0
4	李晓岚	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	21	3.0	4.0