FA/O精抛液组分对Cu/Ta CMP去除速率的影响

• 作者: 何彦刚 刘玉岭 岳红维 胡轶
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械平坦化 精抛 FA/O精抛液 Cu/Ta 去除速率
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 436-440,472
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.007

摘要

研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响.在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2％,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35％,活性剂体积分数为2％,H2O2体积分数为2％的FA/O精抛液.并在MIT854布线片上进行了精抛测试.结果显示,精抛12 s之后,100-100线条处高低差从精抛前的76.7 nm降低为63.2 nm,而50-50线条处高低差从精抛前的61.3 nm降低为59.8 nm.并且,经过FA/O精抛液精抛后粗抛后产生的尖峰也有所减小,台阶趋于平坦.精抛后,100-100和50-50处的高低差均小于70 nm,能够达到产业化指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	何彦刚	河北工业大学微电子研究所	21	142	6.0	11.0
3	胡轶	新疆师范大学化学化工学院	10	11	2.0	2.0
4	岳红维	中国电子科技集团公司第五十四研究所	1	2	1.0	1.0