晶硅衬底参数对背接触太阳电池性能的影响

• 作者: 周涛 夏婷婷 张鹏 陆晓东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 背接触 晶硅太阳电池 电阻率 厚度 少子寿命 效率
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 441-447,477
• 分类号: TM304.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.008

摘要

利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件对n型插指背接触(IBC)晶硅太阳电池衬底参数进行了优化,全面系统地分析了晶硅衬底厚度、电阻率、少子寿命对IBC太阳电池量子效率、短路电流、开路电压、转换效率的影响.结果表明:晶硅衬底少子寿命是影响IBC太阳电池性能的最主要因素.少子寿命越高,电池转换效率越高.当晶硅衬底电阻率为2Ω·cm,少子寿命为500 μs时,最优的衬底厚度范围为60～65μm,IBC太阳电池转换效率约为22.5％.利用高质量晶硅材料制备IBC太阳电池时,可降低对衬底厚度的要求.当晶硅衬底厚度为150 μm、少子寿命为500μs时,最优衬底电阻率为0.3 Ω·cm,IBC太阳电池转换效率约为23.3％.少子寿命越低,IBC太阳电池最优的衬底电阻率越大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹏	渤海大学新能源学院	24	36	3.0	4.0
2	周涛	渤海大学新能源学院	59	88	4.0	6.0
3	陆晓东	渤海大学新能源学院	76	99	4.0	6.0
4	夏婷婷	渤海大学新能源学院	9	36	2.0	6.0