退火温度对CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜结构及光学特性的影响

• 作者: 丁铁柱 肖玲玲 范悦 薄青瑞 郑平平
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 退火温度 中间带 脉冲激光沉积法 CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 23-26
• 分类号: TM615
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.01.05

摘要

采用脉冲激光沉积法在SiO2衬底上制备了CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜.采用X射线衍射和X射线能谱仪研究了退火温度对薄膜晶体结构和成分的影响,利用扫描电子显微镜表征了薄膜的表面形貌,采用紫外—可见分光光度计分析了薄膜的光学特性.结果表明,在CuGaSe2中掺杂Ⅳ族元素Ge,光子吸收能量分别为0.65和0.92 eV,禁带宽度为1.57 eV,能够形成中间带.并随着退火温度的升高,CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜的光学带隙逐渐减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁铁柱	内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古半导体光伏技术重点实验室	27	110	6.0	8.0
2	肖玲玲	内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古半导体光伏技术重点实验室	2	3	1.0	1.0
3	郑平平	内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古半导体光伏技术重点实验室	2	3	1.0	1.0
4	范悦	内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古半导体光伏技术重点实验室	3	1	1.0	1.0
5	薄青瑞	内蒙古大学物理科学与技术学院内蒙古半导体光伏技术重点实验室	2	1	1.0	1.0