AlGaN/GaN HEMT材料的高温MOCVD生长研究

• 作者: 巩小亮 程文进 罗才旺 陈峰武 魏唯 鲍苹
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 AlGaN 高温金属有机物化学气相沉积 二维电子气迁移率
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 页码范围: 32-35,69
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1885字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2018.04.008

摘要

高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制一直是GaN基射频微波器件的重要发展方向.采用自主研制的生产型高温MOCVD设备进行AlGaN/GaN HEMT结构材料的生长,通过高温MOCVD外延生长技术改善了AlGaN势垒层、AlN插入层的晶体质量和表面质量,从而获得了较高二维电子气迁移率的AlGaN/GaN HEMT结构材料.高分辨X射线衍射仪的分析表明,AlGaN外延层Al组分含量为22.7％,厚度为19.4 nm;Hall效应测试仪的测试表明,HEMT结构材料的室温二维电子迁移率和浓度分别为2 040 cm2/V·s和6.15×1012 cm-2,具有较为优异的二维电子气输运性能.上述研究结果表明:国产高温MOCVD设备可为高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制提供新的设备平台.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程文进	中国电子科技集团公司第四十八研究所	8	3	1.0	1.0
2	罗才旺	中国电子科技集团公司第四十八研究所	4	2	1.0	1.0
3	陈峰武	中国电子科技集团公司第四十八研究所	3	2	1.0	1.0
4	巩小亮	中国电子科技集团公司第四十八研究所	3	2	1.0	1.0
5	魏唯	中国电子科技集团公司第四十八研究所	14	17	2.0	3.0
6	鲍苹	中国电子科技集团公司第四十八研究所	2	2	1.0	1.0